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NUS6160MN
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
900
T J = 25 ° C
5
QT
800
700
600
C iss
4
3
500
400
300
2
Q1
Q2
200
100
0
0 2
? V GS ? V DS
C rss
4
6
8
10
12
14
16
C oss
18
20
1
0
0
1
I D = ? 2.7 A
T J = 25 ° C
2 3 4 5 6 7
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 23. Capacitance Variation
Figure 24. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Gate Charge
1000
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 4.5 V
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
3
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 25. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
10
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 26. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1
V GS = ? 8 V
SINGLE PULSE
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 27. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
11
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